您的位置： 专家智库 > >

庞凯

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇氮化
  • 10篇氮化铝
  • 10篇氮化镓
  • 10篇氮化镓薄膜
  • 10篇溅射
  • 10篇过渡层
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇淀积
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化钼
  • 2篇六方氮化硼
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光淀积
  • 2篇激光淀积
  • 2篇二硫化钼
  • 2篇磷
  • 1篇异质结

机构

  • 11篇西安电子科技...

作者

  • 11篇庞凯
  • 10篇张进成
  • 10篇许晟瑞
  • 10篇林志宇
  • 10篇宁静
  • 10篇郝跃
  • 10篇陈智斌
  • 6篇张金风
  • 4篇张金

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(...
张进成朱家铎陈智斌庞凯吕佳骐许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
文献传递
In(Al)GaN异质结材料及器件特性研究
近年来，AlGaN/GaN HEMTs（异质结高电子迁移率晶体管）成为GaN基电子器件中研究的热点之一。在本文中，我们采用 InGaN作为沟道层，得到了高输出电流密度，跨导特性优异，高温下稳定性强的AlGaN/InGaN...
庞凯
关键词：芯片设计异质结材料
基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低...
张进成吕佳骐陈智斌庞凯朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化...
张进成陈智斌庞凯吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
文献传递
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(...
张进成朱家铎陈智斌庞凯吕佳骐许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
文献传递
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低...
张进成吕佳骐陈智斌庞凯朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0