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马磊
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3
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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合作作者
常虎东
中国科学院微电子研究所
刘洪刚
中国科学院微电子研究所
王盛凯
中国科学院微电子研究所
王博
中国科学院微电子研究所
李跃
中国科学院微电子研究所
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作者
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王盛凯
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常虎东
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2019
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一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法
本发明公开了一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法。所述方法包括:S1、在InP衬底片上沉积的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质(102);S2、在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
刘洪刚
马磊
王盛凯
常虎东
龚著靖
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一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法,制备方法包括:在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层;刻蚀去除半导体材料层,并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构,凸出部分刻蚀至第二界面控制层,两侧刻...
王盛凯
李跃
刘洪刚
马磊
孙兵
常虎东
王博
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一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法,制备方法包括:在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层;刻蚀去除半导体材料层,并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构,凸出部分刻蚀至第二界面控制层,两侧刻...
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