龙晓阳
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：武汉科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响被引量：1
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c轴垂直于衬底且以层状模式生长;随着负偏压的增加,薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长,表面粗糙度增加,且h-BN经亚稳相E-BN和wBN向c-BN转变,使得BN薄膜相系统更加混乱,不利于高质量层状h-BN薄膜的获取。
- 龚甜吴隽李涛涛龙晓阳祝柏林祁婷
- 关键词：六方氮化硼SI衬底射频磁控溅射粗糙度相变
- 反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究被引量：2
- 2016年
- 利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势。只有通入合适流量的O_2或H_2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度VO和/或Hi等缺陷,因此有效降低Zn O薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善Zn O薄膜透明导电性能。当前研究中,当O_2和H_2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5%,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3Ω-1。
- 谢挺祝柏林杨玉婷张俊峰龙晓阳吴隽
- 关键词：反应溅射气体流量ZNO薄膜结晶度
- 氮化硼纳米管制备技术研究进展被引量：2
- 2018年
- 氮化硼纳米管是类似于碳纳米管的一维纳米材料,由于其双原子结构特征,硼源难以控制,以及催化剂效率低等多种因素,致使它的合成技术至今尚未成熟。综述了氮化硼纳米管的各种制备技术,重点介绍可能实现大批量制备氮化硼纳米管的方法,主要包括化学气相沉积法与球磨法,分析了其优缺点。在此基础上,对今后批量制备氮化硼纳米管的方法提出了设想与展望。
- 龙晓阳吴隽
- 关键词：氮化硼纳米管化学气相沉积等离子体法
- 氮化硼纳米材料的制备及应用研究
- 六方氮化硼(h-BN)具有优良的耐高温、抗氧化、防辐射、绝缘和导热性能，在航空航天、辐射屏蔽、热界面材料以及深紫外发射等领域有潜在的应用前景。然而，高品质氮化硼纳米管(BNNTs)和氮化硼纳米片(BNNSs)的可控制备和...
- 龙晓阳
- 关键词：六方氮化硼硼酸镁氮化硼纳米管化学气相沉积法导热性能
- 文献传递
- 化学气相沉积法制备氮化硼纳米管的研究进展:反应装置、气源材料、催化剂被引量：1
- 2017年
- 氮化硼纳米管(BNNTs)具有优良的耐高温、抗氧化、防辐射、绝缘和导热性能,因此,在航空航天、辐射屏蔽、热界面材料以及深紫外发射等领域具有潜在的应用前景。然而,高品质BNNTs的可控制备和批量生产仍然是学术和工业界的重大挑战。在BNNTs的众多制备方法中,化学气相沉积法(CVD)是最有潜力实现其可控制备的方法之一。但是,科学家们对于CVD法制备BNNTs的催化机理和影响因素尚未形成共识。鉴于此,文章从反应装置、氮源、硼源和催化剂4个方面对CVD法制备BNNTs进行了综述,并系统总结了相应的规律。在此基础上,分析了目前BNNTs可控制备中存在的问题,并对CVD法在BNNTs可控制备中的作用进行了展望,以期对今后BNNTs的制备起到借鉴作用。
- 龙晓阳俄松峰李朝威李涛涛李涛涛吴隽
- 关键词：氮化硼纳米管化学气相沉积催化剂
- O_2/(O_2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V_2O_5薄膜缺陷类型的影响
- 2017年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V_2O_5(ZnO∶V)薄膜,研究了O_2/(O_2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(V_O)和间隙锌(Zn_i)杂化形成的复合体,两者比例随O_2/(O_2+Ar)流量比而变化。
- 张俊峰吴隽龙晓阳祝柏林李涛涛姚亚刚
- 关键词：射频磁控溅射缺陷态
