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Cu_3N薄膜的制备及其霍尔效应研究被引量：1: 2006年; 采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35 eV。; 王明旭岳光辉范晓彦闫德闫鹏勋杨强; 关键词：XRD SEM AFM

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杨强