江洪超
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>
- P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究
- 2013年
- 采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。
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- 关键词：P型掺杂退火
- Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究
- 2012年
- 本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了Al_xTe_y化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且A1Sb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为P型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.
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- 退火对Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜性质的影响
- 2013年
- 本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.
- 江洪超金硕武莉莉张静全李卫黎兵曾广根王文武
- 关键词：退火
- CdCl2 源退火对Cd1-xZnxTe 薄膜光学性质的影响
- 具有禁带宽度连续可调的性质,Cd1-xZnxTe 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的理想材料.CdCl2 源退火处理是CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节,本文采用真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe 薄膜,...
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- 关键词：CDCL2SOURCETHINFILMSANNEALINGPROPERTY
