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樊腾: 作品数：13 被引量：1H指数：1; 供职机构：太原理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>

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基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法: 本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的多孔SiNx层；还包括形成在多孔SiNx层孔洞处的n型GaN...; 贾伟仝广运樊腾李天保余春燕许并社

一种高质量GaN薄膜及其制备方法: 一种高质量GaN薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域，可解决现有GaN薄膜位错多、压力大、结构不稳定、工艺复杂的问题，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、第一非掺杂GaN层、SiN<Su...; 贾伟樊腾李天保仝广运董海亮许并社

类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能被引量：1: 2019年; 三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金字塔状GaN微米锥的发光性能进行了详细的研究。通过金属有机化合物化学气相沉积原位沉积SiN_x掩模层后,首先制备了底面尺寸为8μm、高度7.5μm的类金字塔状GaN微米锥,之后在其半极性面外延生长了3个周期的InGaN/GaN多量子阱。通过阴极荧光测试发现,类金字塔状GaN微米锥的半极性面上不同位置发光波长不同;变功率微区光致发光测试表明,类金字塔状GaN微米锥的半极性面在InGaN/GaN多量子阱沉积之后极化场较弱;对InGaN/GaN多量子阱进行了透射电镜表征,结合阴极荧光光谱的结果最终解释了In原子在类金字塔状GaN微米锥上的迁移机理。利用其半极性面不同位置发光波长不同的结构特点及光学特性,可以制备多波长发射LED。; 仝广运贾伟贾伟董海亮樊腾贾志刚董海亮; 关键词：发光材料量子点

一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法: 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成AlxGa1‑xN阻止层，x＝0～0.4；在Al...; 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪; 文献传递

一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法: 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成AlxGa1‑xN阻止层，x＝0.0～0.4；在Al<Su...; 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪; 文献传递

一种LED外延结构及其制备方法: 本发明是一种LED外延结构及其制备方法，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、非掺杂GaN层、SiNx层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN层，所...; 贾伟樊腾仝广运李天保翟光美许并社; 文献传递

一种三维LED外延结构及其制备方法: 本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底以及层叠设置在所述衬底上的多孔SiNx层；还包括形成在所述SiNx层孔隙中的n型GaN纳米棒阵列，依次层叠包覆在所述Ga...; 贾伟赵晨许并社李天保余春燕樊腾仝广运; 文献传递

一种纳米多孔GaN结构及其制备方法: 一种纳米多孔GaN结构及其制备方法，属于半导体技术领域，现有纳米多孔GaN结构的制备方法不能精确控制纳米孔形貌、制备过程复杂、设备昂贵的缺点，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底c面上的形核层、非掺杂GaN层；所...; 许并社贾伟樊腾张竹霞李天保董海亮; 文献传递

一种LED外延结构及其制备方法: 本发明是一种LED外延结构及其制备方法，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、非掺杂GaN层、SiNx层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN层，所...; 贾伟樊腾仝广运李天保翟光美许并社

基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法: 本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的多孔SiNx层；还包括形成在多孔SiNx层孔洞处的n型GaN...; 贾伟仝广运樊腾李天保余春燕许并社; 文献传递