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李立均

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇对准标记
  • 2篇漂移区
  • 2篇自对准
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇离子
  • 2篇铝离子
  • 2篇接触区
  • 2篇MOSFET...
  • 1篇碳化硅
  • 1篇击穿电压
  • 1篇MOSFET
  • 1篇槽栅
  • 1篇槽栅MOSF...

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇李立均
  • 2篇陈茜茜
  • 2篇张波
  • 2篇邓小川
  • 2篇李轩

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件包括漏极金属、N+衬底、N‑漂移区；N‑漂移区的内部设有凹槽，制作方法包括步骤：在外延片上刻蚀出凹槽，该凹槽和光刻对准标记同时形成；N‑外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子...
邓小川陈茜茜李立均李轩张波
文献传递
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件包括漏极金属、N+衬底、N?漂移区；N?漂移区的内部设有凹槽，制作方法包括步骤：在外延片上刻蚀出凹槽，该凹槽和光刻对准标记同时形成；N?外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子...
邓小川陈茜茜李立均李轩张波
碳化硅槽栅MOSFET器件设计及其特性研究
碳化硅（SiC）材料由于其禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优异的材料特性,能够广泛运用于光伏逆变,汽车电子,电力传输等高功率密度领域。SiC沟槽栅（Trench）MOSFET比平面栅MOSFET...
李立均
关键词：碳化硅MOSFET击穿电压
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