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6H-SiC辐照条件下缺陷形成过程的分子动力学模拟: 2021年; 辐照环境会使材料出现位移损伤,在材料内部产生缺陷。为了研究6H-SiC晶体材料在受到辐照时缺陷的形成过程,基于分子动力学方法,采用LAMMPS软件模拟了6H-SiC材料在不同辐照能量、不同温度时辐照缺陷的形成过程,也进一步探究了材料屈服强度受辐照的影响。结果表明,缺陷数目随辐照能量增大而增多,且呈线性关系,温度对缺陷数目的影响无明显规律,屈服强度随辐照能量增大而减小,并且受到拉伸方向的影响。; 周群颂何红宇蒋尚廷李晔吴沁懋陈志勇陈志勇王新林; 关键词：6H-SIC 分子动力学屈服强度

飞秒激光烧蚀CuZr非晶合金机理与烧蚀区结构分析: 2017年; 采用结合双温模型的分子动力学的方法,数值模拟了脉宽100 fs,能量密度为40~200 m J/cm^2的飞秒激光与CuZr非晶合金的相互作用过程。低能量密度下,靶材的烧蚀机制主要表现为机械破碎;高能量密度下,热机械蚀除和相爆炸共同存在于靶材的烧蚀过程,随着能量密度的增加,相爆炸成为主要蚀除机制。利用径向分布函数分析了CuZr非晶合金结构的无序性,分析结果表明,激光能量密度由80 m J/cm^2增加到120 m J/cm^2时,飞秒激光与靶材相互作用过程中,材料内部的原子保持着无序状态,材料未发生明显晶化。; 曹友朋陈冰何涛何红宇陈志勇朱卫华王新林; 关键词：飞秒激光分子动力学非晶合金径向分布函数

能量密度对合金蚀除深度影响与弹坑形貌预测: 2016年; 采用结合双温模型的分子动力学方法,研究了典型脉宽飞秒脉冲激光与镍钛二元形状记忆合金相互作用时能量密度对靶材烧蚀深度的影响。模拟了脉宽为100 fs,能量密度为0-125 mJ/cm^2的单脉冲激光辐照90 nm厚镍钛合金薄膜的过程。模拟结果表明,飞秒单脉冲激光烧蚀镍钛二元形状记忆合金会产生两种不同的烧蚀相。能量密度较低时,烧蚀结果呈现弱烧蚀相,烧蚀深度较低,并且与光学穿透深度相关;能量密度较高时,烧蚀结果呈现强烧蚀相,烧蚀深度大幅度增大。采用＂拼花法＂对高斯飞秒脉冲激光辐照镍钛靶材的形貌进行预测,发现使用能量密度为阈值附近的飞秒激光辐照靶材时,能够获得底部较为平坦的烧蚀弹坑。; 陈鹏陈志勇曹友朋朱卫华何红宇王新林; 关键词：飞秒脉冲激光分子动力学

分子动力学模拟4H-SiC辐照下缺陷形成机理被引量：2: 2017年; 运用分子动力学模拟的方法,采用LAMMPS程序模拟了六方晶格结构的4H-SiC材料辐照下级联碰撞过程。先建立4H-SiC晶体结构模型,再模拟了不同能量的初始碰撞原子(PKA)级联碰撞产生点缺陷的演化。模拟结果表明,总的点缺陷包括空位缺陷、间隙原子和反位缺陷,并以空位缺陷和间隙原子为主,给出空位缺陷与间隙原子的空间分布图;级联碰撞产生的空位缺陷数量与PKA能量成线性关系;空位缺陷与间隙原子的空间分布,特别是空位缺陷与间隙原子聚集区域,与PKA能量有密切关系。上述结果为分析4H-SiC基材电子器件在辐照环境下电学性质变化提供理论基础。; 何涛何红宇周媛朱卫华陈志勇王新林; 关键词：4H-SIC 分子动力学

氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性被引量：2: 2017年; 针对氢化非晶硅薄膜晶体管(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT)的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/f~γ(f为频率,γ≈0.92)的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型(?N-?μ模型),在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×10^(18)和1.26×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.; 刘远何红宇何红宇陈荣盛李斌恩云飞; 关键词：非晶硅薄膜晶体管低频噪声局域态密度

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