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姜钰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应力
  • 1篇阵列
  • 1篇检测电路
  • 1篇饱和电流
  • 1篇NMOS
  • 1篇STI

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇林殷茵
  • 1篇陈浩
  • 1篇刘宁希
  • 1篇董庆
  • 1篇姜钰

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路
2014年
提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列。测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响。此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比。测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证。每种测试电路所占版图面积为415μm×50μm。测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小。
姜钰刘宁希董庆陈浩林殷茵
关键词：检测电路饱和电流
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