叶勇
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计被引量：2
- 2017年
- 传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.
- 叶勇亢勇景蔚亮杜源宋志棠陈邦明
- 关键词：神经元突触非易失性相变存储器
- 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计
- 2017年
- 针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017μm^2,存储密度高达0.0268mm^2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。
- 叶勇亢勇宋志棠陈邦明
- 关键词：二极管阵列低功耗
