您的位置: 专家智库 > >

汤国强

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇电荷传输
  • 1篇有机场效应晶...
  • 1篇气相沉积
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋阀
  • 1篇烯基
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米复合材料
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇分子
  • 1篇分子取向
  • 1篇复合材料
  • 1篇半导体
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇磁电

机构

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇汤国强
  • 1篇张发培
  • 1篇潘国兴
  • 1篇李田

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
3 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究
2017年
有效地控制有机半导体分子取向和堆积特性对实现高性能电子器件具有非常重要的意义,而发展简便高效的溶液相成膜技术是实现这一目的的重要途径.本文采用改进的溶液浸涂法,成功地成长出大面积宏观取向的半导体聚合物P(NDI2OD-T2)和PTHBDTP薄膜.偏光显微镜和极化的紫外-可见光吸收谱测量显示,薄膜中聚合物分子主链骨架沿成膜时液面下移方向择优取向.原子力显微镜观察到聚合物薄膜由纳米尺度的取向有序晶畴构成,畴的取向与分子链的取向一致.采用衬底-溶液界面处表面张力和溶剂蒸发诱导的分子自组织过程来解释浸涂法生长聚合物取向薄膜的微观机理.使用取向的P(NDI2OD-T2)薄膜制备场效应晶体管,显著地提高了电子迁移率(可达4倍),并实现高达19的迁移率各向异性度.这可归因于共轭的聚合物主链骨架择优取向引起电荷传导通路的变化.
潘国兴李田汤国强张发培
关键词:分子取向有机场效应晶体管
石墨烯基材料的磁电阻效应
石墨烯拥有众多优异的物理化学特性,比如高载流子迁移率、很强的机械强度和良好的化学稳定性等,使在在众多领域都展现出巨大的应用潜力。同时石墨烯的自旋-轨道耦合和超精细相互作用都很弱,使其自旋散射较弱,因而被认为是传输自旋极化...
汤国强
关键词:化学气相沉积自旋阀磁电阻纳米复合材料
文献传递
共1页<1>
聚类工具0