- 一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法
- 本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制...
- 赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
- 一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器
- 本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>Sb组分渐变缓冲...
- 陈冬琼赵鹏杨文运宋欣波李德香王海澎李立华施静梅戴欣冉白兰艳黄晖
- 一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法
- 本发明提供了一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法，该方法在InGaAs器件的表面覆盖一层硫原子层，在该硫原子层上覆盖一层氮化硅或氧化硅介质膜。该原子层通过阳极硫化方法形成。本发明在电化学反应过程中，硫原子与器...
- 史衍丽朱琴李德香杨振
- 文献传递
- 不同抛光方式下InSb晶片表面质量的对比研究被引量：2
- 2022年
- 本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究。结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并且发现加入双氧水作为抛光液的化学机械抛光方法能够获得较好表面质量的InSb晶片,其表面几乎无划痕,粗糙度降至0.606 nm,平整度约6.916 nm,且表面损伤明显降低。
- 李德香龚晓霞张丽霞袁俊杨文运
- 关键词：INSB抛光氧化层化学机械抛光机械抛光
- 光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器
- 本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大...
- 李德香何雯瑾邓功荣陈冬琼吴宇杨玲种苏然宋欣波龚晓霞袁俊黄晖
- 一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备
- 本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面...
- 宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
- 一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片
- 本实用新型涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片，属于红外探测器技术领域。所述探测器芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表...
- 宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
- 文献传递
- 一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构
- 本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所...
- 赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
- 一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法
- 本发明涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>Sb组分渐变缓冲层、...
- 陈冬琼赵鹏杨文运宋欣波李德香王海澎李立华施静梅戴欣冉白兰艳黄晖
- 一种红外探测器材料的像元台面
- 本实用新型涉及一种红外探测器材料的像元台面，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；顶电极接触层和势垒层上部构成尺寸为15×15μm～...
- 邓功荣杨文运李德香唐遥张伟伟杜润来黎秉哲赵鹏黄晖
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