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王兆江

作品数:28 被引量:6H指数:2
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 11篇刻蚀
  • 10篇微电子
  • 10篇微电子机械
  • 9篇微电子机械系...
  • 5篇高深宽比
  • 4篇等离子体
  • 4篇电极
  • 4篇锚点
  • 4篇光电
  • 4篇感应耦合
  • 4篇感应耦合等离...
  • 3篇游标
  • 3篇摄像测量
  • 3篇视频电缆
  • 3篇退火
  • 3篇芯片
  • 3篇目镜
  • 3篇刻蚀工艺
  • 3篇刻蚀系统
  • 3篇光源

机构

  • 28篇北京大学

作者

  • 28篇王兆江
  • 16篇张大成
  • 16篇李婷
  • 16篇王阳元
  • 13篇田大宇
  • 10篇王颖
  • 10篇王玮
  • 9篇罗葵
  • 8篇李静
  • 6篇于晓梅
  • 6篇郝一龙
  • 5篇阮勇
  • 5篇张兴
  • 4篇张录
  • 4篇刘毅
  • 4篇刘蓓
  • 4篇张威
  • 4篇马盛林
  • 4篇汤雅权
  • 4篇易玉良

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇核技术
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2001
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
对准键合精度检测系统
本发明涉及一种对准键合精度检测系统,其特征在于它包括:一显微镜,一螺旋游标测量目镜,一CCD摄像机,一图像显示器,一红外光源,所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上,所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量...
张大成李婷王颖王兆江郝一龙王阳元
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大面积PIN光电二极管在高低温退火前后暗电流的变化
制造在兰紫光波段内高量子效率的PIN光电二极管,浅结是必要的.为了达到线结,硼离子注入后,使用了1000℃、30s的高温快速热退火.对具体芯片的暗电流跟踪测试表明,硼离子注入后,只使用高温快速热退火工艺,芯片的暗电流达不...
田大宇王兆江王玮张维张录
关键词:PIN光电二极管离子注入暗电流
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制备光电探测器的方法
一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并...
张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
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一种平面电容谐振器及其制备方法
本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器,包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底,谐振体是悬空的结构,通过锚点固支在衬底上;传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成,传感电极和驱动电...
于晓梅汤雅权刘毅马盛林易玉良王兆江
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继电器及其制备方法
本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括:一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体,上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板,在单晶硅...
阮勇张大成郝一龙王阳元王丛舜李婷罗葵田大宇王玮王颖王兆江
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制备光电探测器的方法
一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并...
张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
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EN-18串列静电加速器的运行与改进被引量:3
1992年
本文叙述了EN-18串列加速器的运行状况与实验线的配置、运行中的经验与问题,最后还叙述了对EN-18串列加速器的改进和部分部件的国产化。
于金祥李认兴巩玲华张征芳金瑞鑫张桂筠沈毅雄任晓堂王兆江赵引杨向军
关键词:静电加速器串列静电加速器
对准键合精度检测装置
本实用新型涉及一种对准键合精度检测装置,其特征在于它包括:一显微镜,一螺旋游标测量目镜,一CCD摄像机,一图像显示器,一红外光源,所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上,所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标...
张大成李婷王颖王兆江郝一龙王阳元
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高深宽比氧化硅刻蚀工艺
本发明涉及一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺,其采用电感耦合等离子刻蚀系统,且反应气体包括C<Sub>4</Sub>F<Sub>8</Sub>、H<Sub>2</Sub>及He,并采用以下工艺参数:离子源功率为1000-1800...
罗葵张大成王兆江李婷田大宇王玮王颖李静
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继电器及其制备方法
本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括:一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体,上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板,在单晶硅...
阮勇张大成郝一龙王阳元王丛舜李婷罗葵田大宇王玮王颖王兆江
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共3页<123>
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