杨光
- 作品数：5 被引量：10H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究被引量：9
- 2012年
- 采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅(SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺。
- 杨光苟君李伟袁凯
- 关键词：反应离子刻蚀二氧化硅刻蚀速率
- 气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响
- 2009年
- 用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。
- 李伟陈宇翔金鑫姜宇鹏杨光蒋亚东
- 关键词：傅里叶变换红外光谱气体压强氢化非晶硅
- 一种高配位钨酸盐体系Sr_3WO_6:Eu红色荧光粉的制备与发光性能研究
- 2015年
- 采用简单的柠檬酸络合法合成了一系列具有高配位钨酸盐体系Sr3WO6：Eu红色荧光粉,该体系红色荧光粉在近紫外光区域具有较强的吸收能力,发射峰主要位于～616nm处,来源于Eu3＋的5 D0-7F2跃迁,具有高的色纯度,适合应用在近紫外LED上。研究了用Li^＋、Na^＋、K^＋分别作为电荷补偿剂对其发光性能的影响,发现采用K＋做电荷补偿剂时,发射强度可以明显提高,色纯度为98.6%,色坐标为（0.655,0.339）。
- 谢程益唐先忠王毅杨光曾忱
- 关键词：红色荧光粉电荷补偿白光LED
- 锂离子负极材料NiFe_2O_4/Graphene复合材料的制备和电化学性能被引量：1
- 2014年
- 通过水热法合成了NiFe2O4/Graphene纳米复合材料,采用XRD和SEM对其晶相结构和形貌进行了表征,并将其作为锂离子电池活性材料组装成模拟电池,考查电化学性能。结果表明NiFe2O4/Graphene复合材料在100mA/g的电流密度下首次放电容量达970mAh/g,循环20次后,容量保持在668mAh/g,相比纯的NiFe2O4,具有较好的循环稳定性,这种优异的电化学性能归因于复合材料的纳米结构和NiFe2O4与Graphene的协同作用。
- 杨光陈野川薛卫东赵睿
- 关键词：锂离子电池负极水热合成循环性能
- β-MnO_2和α-Mn_2O_3纳米棒的自牺牲模板法制备、表征和应用
- 2015年
- 在150℃下,仅以高锰酸钾溶液和无水乙醇为原料,通过水热反应合成前驱体γ-Mn OOH纳米棒.以γ-Mn OOH纳米棒为自牺牲模板,分别在350和600℃下煅烧90 min,制备出高纯度的β-Mn O2和α-Mn2O3纳米棒.采用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及热重分析（TGA）等对所制备的样品进行表征.结果表明,前驱物γ-Mn OOH为高纯度的纳米棒状晶体,直径约100-300 nm,长度可达数微米,且终产物β-Mn O2和α-Mn2O3均具有较高的纯度,也很好地保持了前驱物的纳米棒状结构.以二者为锰源,通过固相反应合成出尖晶石Li Mn2O4正极材料.当充放电倍率为0.5 C时,其首次放电比容量分别可达到120.4和123.9 m A·h/g,而且表现出良好的循环性能和倍率性能。
- 赵红远刘兴泉张峥吴玥杨光陈炳熊伟强
- 关键词：纳米棒
