杨光晖
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- S波段160W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配晶体管优化设计
- 文献传递
- 老化用微波功率信号源的研制
- 本文以 L 波段信号源为例,研究探讨了微波器件和放大器射频老化时常用的傲波脉冲信号源的设计与制做,并获得了实用结果．
- 杨光晖何宇新刘红兵
- 关键词：微波晶体管微波放大器
- 文献传递
- C波段高效率30W功率放大器研制
- 2014年
- 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点，非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计。基于GaN功率器件大信号模型，采用MicrowaveOffice2009微波设计软件对功率放大器进行仿真优化，设计并研制出了c波段高效率30W连续波功率放大器。该放大器功率器件采用了CREE公司C波段GaNHEMT功率器件，实现放大器尺寸为190mmx50mm×15mm，端口阻抗为50Q。放大器在5650～5950MHz频带内、28V工作条件下，连续波输出功率大于30w，增益大于45dB，效率大于30％。
- 董四华梁璐杨光晖
- 关键词：C波段氮化镓功率放大器
- 基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
- 2024年
- 为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了AlN-GaAs PCSS,分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性,探究了GaAs PCSS的损伤机制。结果表明,溅射功率为40 W、Ar:N2比为24:2、压强为0.8 Pa时,AlN薄膜的质量最优;在905 nm、2μJ、50 kV/cm下,AlN-GaAs PCSS输出幅值为9.6 kV、上升时间为450 ps、脉冲宽度为2.3 ns,初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性。
- 杨光晖杨迎香程骏吴小帅胡龙
- 关键词：ALN薄膜瞬态特性
- 一种低频大功率器件金属陶瓷管壳封装
- 本发明提供了一种低频大功率器件金属陶瓷管壳封装，包括类矩形的金属热沉、陶瓷封装体，以及功率器件；金属热沉的两端分别设有连接部，两个连接部之间嵌装有热相变材料层；陶瓷封装体的底壁上设有第一散热部，第一散热部与相变材料层位置...
- 高永辉徐守利银军夏达顾颖言蔡晓波张晓帆赵景波默江辉翟岐段雪杨光晖
- 文献传递
- 一种密封功率器件金属陶瓷管壳
- 本实用新型提供了一种密封功率器件金属陶瓷管壳，包括类矩形的金属热沉和陶瓷封装；金属热沉的两端分别设有连接部；陶瓷封装沿金属热沉的长轴方向设于金属热沉上，且位于两个连接部之间，具有适于封装功率器件的气密腔；其中，陶瓷封装于...
- 高永辉徐守利银军夏达顾颖言蔡晓波张晓帆赵景波默江辉翟岐段雪杨光晖
- 文献传递
- S波段160 W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配
- 文献传递
- 老化用微波功率信号源的研制被引量：1
- 2008年
- 本文以L波段信号源为例,介绍了微波器件和放大器射频老化时常用的微波脉冲信号源的设计与制做,并获得了实用结果。
- 杨光晖梁勃
- 关键词：微波晶体管微波放大器
- 超快速高压冲激脉冲的产生与研制
- 2023年
- 为解决传统冲激脉冲无法实现超快速脉冲前沿、极窄脉冲以及高重复频率等难题,以雪崩晶体管为例,通过雪崩晶体管雪崩机制研究以及雪崩晶体管MARX电路的优化设计,提出了超快速高压冲激脉冲的设计思路,并设计出幅值不大于-10 kV、脉冲前沿不大于110 ps、脉冲半宽度不大于180 ps,重频不大于50 kHz的冲激脉冲,以期为超快速高压冲激脉冲设计提供参考。
- 杨光晖王廷浩张一尘李家杰陈钊
- 关键词：雪崩晶体管MARX电路
- 雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究
- 2022年
- 雪崩三极管是较为理想的高压窄脉冲信号源半导体元器件,研究其雪崩击穿导通特性将有助于设计与优化基于雪崩三极管的脉冲产生电路。本文通过搭建雪崩三极管击穿工作电路,测试雪崩三极管在基极大注入触发的二次击穿导通模式,以及集电极—发射极和集电极—基极高压引起的雪崩击穿导通模式下的器件导通特性,并提取其开关导通参数,研究了开关导通特性,分析了雪崩三极管高压窄脉冲信号产生电路的性能,改进完善了电路设计。
- 徐守利张鸿亮郎秀兰杨光晖倪涛段雪刘京亮许春良
- 关键词：雪崩三极管雪崩击穿
