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徐秋霞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化层
  • 1篇深亚微米
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准硅化物
  • 1篇微米
  • 1篇晶粒
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅化物
  • 1篇硅栅
  • 1篇硅栅器件
  • 1篇硼
  • 1篇CMOS电路
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄氧化
  • 1篇超薄氧化层
  • 1篇大晶粒

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇徐秋霞
  • 1篇殷华湘
  • 1篇胡正明
  • 1篇郝秋华
  • 1篇李俊峰

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
适用于深亚微米CMOS电路的自对准硅化物工艺
徐秋霞胡正明季红浩等10人
该成果深入进行了适用于0.2微米以下CMOS电路的Ti自对准硅化物和Co自对准硅化物工艺研究。新的Ti-SALICIDE工艺技术，采用Sb+和Ge+的PAI技术使Ti硅化物相转移温度降低80度，大大促进了相转移。新工艺T...
关键词：
关键词：场效应器件自对准硅化物集成电路
大晶粒硅栅抑制硼穿透超薄氧化层的工艺研究
深亚微米CMOS工艺中由注入掺杂形成P型和N型双栅.P型栅中的硼(B<'11+>)在源漏热退火时会穿透(Penetration)超薄栅氧化层进入沟道引起器件性能的劣化.通常采用氮化氧化层来抑制小尺寸器件中的日趋严重的硼穿...
殷华湘徐秋霞李俊峰郝秋华
关键词：硅栅器件氧化层
文献传递
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