王伟
- 作品数：35 被引量：27H指数：4
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省教育厅自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电气工程更多>>
- 磁性离子基团耦合激发Bi_5FeTi_3O_(15)材料中的铁磁性被引量：1
- 2010年
- 采用固相反应法,制备了Bi_5Fe_(1-x)Co_xTi_O_(15)(BFCT-x,x=0.0～0.6)陶瓷样品.掺杂后样品的剩余磁化强度(2M_r)和剩余极化强度(2P_r)都得到了提高,并以磁性能改善最为明显,在室温下显示为铁磁性.BFCT-0.5样品的磁化强度达到2.3 mA·m^2/kg,比未掺杂高两个数量级.样品铁磁性的增强可能来源于Fe-O-Co耦合.样品的铁电性能随掺杂量的变化则表现为增强、减弱、再增强趋势.这一趋势是由掺杂导致的晶格畸变、电荷补偿以及共价键的变化所共同决定.
- 王伟胡星毛翔宇陈小兵
- 液相准分子激光烧蚀制备碳纳米颗粒及其发光性能
- 2017年
- 将碳化硅(SiC)粉末分散于去离子水中,用准分子脉冲激光进行烧蚀反应,离心后得到分散于去离子水中的碳纳米颗粒。透射电子显微镜观测表明这些碳纳米颗粒大多为空心结构,直径为20~30nm。碳纳米颗粒表面钝化良好,具有优良的发光性能。在紫外光激发下,纳米颗粒在去离子水中的悬浮液在紫-蓝光区域有较强、较稳定光发射,其发光与缺陷态,量子限制效应有关。
- 王颖余云洁刘京朱骏王伟王伟
- 关键词：脉冲激光烧蚀光致发光
- BiInO_3基压电膜的脉冲激光沉积法制备及其性能
- 2014年
- 以PbTiO3为模板,采用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)法制备了0.20BiInO3-0.80PbTiO3(20BI-PT)高温压电薄膜.X射线衍射谱显示20BI-PT样品的[100]峰出现了明显的劈裂,表明样品具有更高的四方对称性.场发射扫描电镜照片显示20BI-PT样品中出现了部分[111]取向的三角形晶粒.20BI-PT样品的铁电剩余极化(Pr)为0.28C·m-2,矫顽场(Ec)为12MV·m-1.20BI-PT样品的横向压电系数(e31,f)为(-4.7±0.6)C·m-2.介电温度谱显示20BI-PT样品的居里温度达590℃,且介电峰没有明显的频率依赖性.
- 唐佳伟王伟陈小兵
- 关键词：脉冲激光沉积铁电压电
- A位和B位Mn掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)电磁性能的影响
- 2011年
- 采用固相烧结工艺制备MnxSr2?xBi4Ti5O18(A-SBTi-x,x=0～0.08)和Sr2Bi4MnyTi5?yO18(B-SBTi-y,y=0～0.08)陶瓷样品,对比研究它们的结构和电磁性能。X射线衍射谱显示A位Mn掺杂对材料晶格常数a影响较大:零掺杂时,a=0.386 8 nm;当Mn摩尔掺量为0.02时,a减小为0.385 6 nm;此后a随Mn掺量增加而增加,最大达到0.387 0 nm。B位Mn掺杂对晶格常数的影响较小。当Mn掺量很小时,A位和B位掺杂对剩余极化强度(2Pr)的影响不同;当Mn掺量较多时,A位和B位掺杂对2Pr的影响相似。室温,两种晶位掺杂的Mn离子均使材料表现出弱铁磁性。
- 王伟武鑫华毛翔宇陈小兵
- 关键词：铁电性能磁性能介电性能
- SiC和CdTe量子点间荧光共振能量转移
- 2016年
- 采用水相法制备了巯基乙胺包裹的CdTe量子点,用湿化学刻蚀法制得了SiC量子点,并对CdTe和SiC量子点的光学特性进行了研究.结果表明:随着激发波长的增加,因量子限制效应,SiC量子点荧光的最大发射峰出现红移;CdTe量子点的发射谱和SiC量子点的吸收谱有较大的重叠,且带边发射有较大的能量分离;CdTe量子点和SiC量子点之间存在福斯特共振能量转移.同时,CdTe和SiC混合液蒸干后的荧光光谱显示,供体SiC的荧光减弱,而受体CdTe的荧光增强;相同大小的CdTe、SiC及CdTe和SiC混合物的液滴在空气中自然蒸发时,液滴的颜色在紫外灯照射下发生了变化,这是由于蒸发过程中,液滴体积减小,导致液滴中量子点间的距离减小,有利于CdTe量子点和SiC量子点间发生福斯特共振能量转移.
- 王红玉王伟陈波王正斌
- 关键词：量子点SICCDTE荧光
- 高温压电薄膜xBi InO3-(1-x)PbTiO3的PLD制备和性能
- 王伟唐佳伟陈小兵
- 脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO3-0.80PbTiO3
- 2013年
- 采用脉冲激光沉积法制备了0.20BiInO3-0.80PbTiO3（20BI-PT）高温压电薄膜，并与0.15BiInO3-0.85PbTiO3（15BI-PT）样品进行了比较研究. X射线衍射谱显示，20BI-PT样品100峰出现了明显的劈裂，显示样品具有更高的四方对称性. FESEM图显示，20BI-PT样品中出现了部分111取向的三角形晶粒. 20BI-PT样品的铁电剩余极化（Pr）为～28 μC/cm2，矫顽场（Ec）为～120 kV/cm，相较15BI-PT样品，Pr略有增加，但同时Ec也有增加. 20BI-PT样品的横向压电系数（e31，f）约为–4.7±0.6 C/m2，和15BI-PT相比几乎一样. 介电温度谱显示，20BI-PT 样品的居里温度比15BI-PT增加了约30 ℃，达590 ℃，且介电峰没有明显的频率依赖性. Rayleigh分析显示，20BI-PT样品中内在本征因素及可翻转畴对介电非线性的贡献和15BI-PT基本相同，但是外在因素的贡献没有15BI-PT的贡献大，这可能和20BI-PT样品中晶粒111相对取向率较高有关.
- 王伟唐佳伟王乐天陈小兵
- 关键词：脉冲激光沉积铁电压电
- Bi6FeMTi3O18（M=Mn,Fe,Co,and Ni）多铁陶瓷的制备
- ＜正＞采用固相烧结工艺,以金属氧化物Bi2O3（过量5wt%补充制备过程中Bi2O3的损耗）,Mn2O3,Fe2O3,Co2O3,Ni2O3和TiO2为原料,制备了Bi6FeMnTi3O18（BFMT）,Bi6Fe2Ti...
- 毛翔宇王伟陈小兵
- 文献传递
- A位掺杂Sr_(1-x)La_(2x/3)Bi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能被引量：4
- 2006年
- Sr1-xLa2x／3Bi6TiO15（SLBT-x,x=0．00～O．75）陶瓷居里温度（tc）随掺杂量的增加而降低，显示掺杂导致晶格畸变减小，这是由于La^3＋取代Sr^2＋位而产生的A位空位弱化了相邻TiO6八面体的耦合作用所致．样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低，峰形宽化．表现出弥散相变的特征，这是由于La^3＋和Sr^2＋离子半径的差异以及高掺杂量下La^3＋离子部分进入铋氧层所致．样品的剩余极化（2Pr）在掺杂量为0．3时增加到23.1×10^-2C·m^-2,同时矫顽场降低到79．6×10^5V·m^-1，高价掺杂所形成的偶极子缺陷使得样品铁电性能明显改善．
- 王伟顾世浦单丹陈小兵
- 关键词：掺杂居里温度
- 初高中物理学科概念教学衔接的策略研究
- 2023年
- 物理概念教学是物理教学的核心内容,为了让学生更好地实现初高中物理学习的过渡,本文从初高中物理概念教学存在的差异入手,结合具体案例,提出了包括“合理创设情境,化抽象为具体”“整合物理概念,形成物理观念”“了解认知结构,促进概念转化”“注重学科融合,提高思维能力”“改进教法学法,培养核心素养”等五个衔接策略以供参考。
- 李扬王伟
- 关键词：初中物理高中物理教学衔接物理概念
