李伟
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 基于自旋阀的GMR线性传感器的制作
- 本文利用退火技术制作出自旋阀型GMR线性传感器,传感器矫顽力低于0.01Oe,具有良好的线性,电阻条的宽度与传感器器线性范围和灵敏度直接相关,随着条宽减小,传感器器的线性范围增加而灵敏度降低,实验和理论计算的结果一致.
- 李伟刘华瑞刘鹏任天令刘理天
- 关键词：自旋阀巨磁电阻线性传感器GMR退火
- 文献传递
- 低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究被引量：4
- 2006年
- 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/freelayer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫顽力特性.为了降低自旋阀的矫顽力,并保持高的磁电阻率(MR),采用NiFeCr/NiFe/CoFe作为自旋阀的复合自由层,得到的自旋阀的MR为10.08%,矫顽力为4.87×(103/4π)A/m.利用弱磁场下的横向退火工艺,此结构自旋阀的矫顽力可降至0.01×(103/4π)A/m以下.通过实施以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率和低矫顽力的GMR传感器.
- 刘鹏李伟刘华瑞叶双莉任天令刘理天
- 关键词：自旋阀
- 基于自旋阀的GMR线性传感器的制作被引量：1
- 2006年
- 利用退火技术制作出自旋阀型GMR线性传感器,传感器矫顽力低于0.01Oe,具有良好的线性,电阻条的宽度与传感器器线性范围和灵敏度直接相关,随着条宽减小,传感器器的线性范围增加而灵敏度降低,实验和理论计算的结果一致.
- 李伟刘华瑞刘鹏任天令刘理天
- 关键词：自旋阀巨磁电阻线性传感器
- 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究被引量：2
- 2007年
- 在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。
- 刘鹏李伟叶双莉任天令刘理天
- 关键词：巨磁电阻传感器自旋阀矫顽力退火
- 低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究
- 本文采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/free layer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫...
- 刘鹏李伟刘华瑞叶双莉任天令刘理天
- 关键词：自旋阀退火磁传感器磁控溅射
- 文献传递
- 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
- 在硅片上制备结构为 Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta 的 IrMn 顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的 GMR 磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化...
- 刘鹏李伟叶双莉任天令刘理天
- 关键词：巨磁电阻传感器自旋阀矫顽力退火
- 文献传递
