王勇
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究被引量：3
- 2016年
- 采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.
- 王康刘莉邓爱红王玲王勇卢晓波龚敏
- 关键词：钨氦正电子湮没
- 氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究被引量：2
- 2016年
- 本文通过离子注入向钨体中注入100keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.
- 王勇吴双邓爱红王康王玲卢晓波张元元
- 关键词：钨离子注入氦
- 纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响被引量：1
- 2014年
- 用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变;钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高;钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降。
- 谢莎邓爱红王康王玲李悦王勇汪渊
- 关键词：金属材料HHE
