刘相华
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
- 2003年
- 实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
- 易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦
- 关键词：注氧隔离
- 不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构
- 2002年
- 将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5×106V/cm,与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。
- 刘相华陈猛刘忠立王曦
- 关键词：SOI离子注入硅
- N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
- 2003年
- 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。
- 林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁
- 关键词：氧离子离子注入硅片计算机模拟
- 新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究
- SOI(Silicon onlnsulator)材料作为抗辐照器件材料在国防、宇航等领域得到广泛应用.但由于绝缘埋层的引入,使得材料本身的抗总剂量辐照能力反而不如体硅材料.为了解决这一问题,科学家们已经使用了许多方法来加...
- 刘相华
- 关键词：SOIMOS器件
- 文献传递
