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王勇

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：东南大学机械工程学院更多>>
相关领域：金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇镀铜
  • 1篇体硅
  • 1篇铁路
  • 1篇铁路钢轨
  • 1篇涡流
  • 1篇涡流检测
  • 1篇无损检测
  • 1篇无损检测仪
  • 1篇脉冲涡流
  • 1篇脉冲涡流检测
  • 1篇化学镀
  • 1篇化学镀铜
  • 1篇钢轨
  • 1篇高速铁路
  • 1篇高速铁路钢轨
  • 1篇ΜC/OS
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体硅
  • 1篇N型
  • 1篇N型硅

机构

  • 2篇东南大学
  • 1篇兰州理工大学

作者

  • 2篇王勇
  • 1篇陈云飞
  • 1篇帅立国
  • 1篇权毅
  • 1篇张远明
  • 1篇曹洁

传媒

  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇仪表技术与传...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半导体硅表面化学镀铜被引量：4
2006年
介绍了以次磷酸钠为还原荆、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理。探讨了镀液中铜盐含量、还原荆含量、pH及温度对沉积速率的影响。确定了化学镀铜最佳工艺备件：0．15mol／L CuS04·5H20，0．03mol／L NiSO4·6H2O．0．75mol／LNaH2PO2·H2O．0．08mol／L Na3C6H5O7·H2O，0．5mol／L H3BO3，〈0．2mg／L 硫脲．60-65℃，pH12．0-12．5。采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆30min及40min制得的2种镀层表面形貌及成分进行了分析与比较。结果表明，镀覆30min镀层组织较为致密。而镀覆40min的镀层组织较粗糙；随镀覆时间的延长，镀层中铜含量明显提高。该镀层接触电阻基本能满足微制冷器的要求。
王勇张远明陈云飞
关键词：半导体N型硅化学镀铜沉积速率表面形貌
基于ARM的便携式高速铁路钢轨无损检测仪被引量：2
2010年
针对高速铁路钢轨损伤人工检修困难的问题,依据脉冲涡流无损检测原理,在ARM微处理器系统的基础上,优化设计一套以S3C44B0X控制芯片为核心的便携式高速铁路钢轨无损检测仪。简单讨论了μC/OS-Ⅱ操作系统的软件设计,并着重阐述了仪器主要模块的硬件设计。试验表明:仪器可以快速地检测钢轨损伤的存在并且及时发出报警,同时对数据进行存储和显示,能够较好地解决人工检测难的问题。
权毅曹洁王勇帅立国
关键词：高速铁路钢轨脉冲涡流检测S3C44B0X
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