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刘涛

作品数:4 被引量:7H指数:1
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
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柏松
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC 碳化硅 4H-SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘昊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:4H-SIC FET器件 DMOS 功率 PIN二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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