您的位置: 专家智库 > >

郭天雷

作品数:13 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 19个电子电信
  • 19个自动化与计算...
  • 12个电气工程
  • 10个文化科学
  • 10个理学
  • 7个金属学及工艺
  • 7个机械工程
  • 7个航空宇航科学...
  • 7个一般工业技术
  • 6个核科学技术
  • 6个医药卫生
  • 3个经济管理
  • 3个交通运输工程
  • 2个天文地球
  • 2个化学工程
  • 2个动力工程及工...
  • 2个轻工技术与工...
  • 2个环境科学与工...
  • 2个农业科学
  • 1个矿业工程

主题

  • 16个电路
  • 12个电源
  • 11个单粒子
  • 11个电容
  • 10个单粒子效应
  • 10个电路设计
  • 10个电压
  • 10个电阻
  • 9个单片
  • 9个电流
  • 8个单粒子翻转
  • 8个导通
  • 8个电位
  • 8个电子元
  • 8个电子元器件
  • 8个叠层
  • 8个亚微米
  • 7个电离辐射
  • 7个电路结构
  • 6个调制

机构

  • 13个中国科学院微...
  • 6个中国科学院
  • 4个辽宁大学
  • 3个西北核技术研...
  • 2个西安交通大学
  • 2个中国科学院研...
  • 2个中国科学院微...
  • 2个中国科学院大...
  • 1个大连东软信息...
  • 1个北京交通大学
  • 1个沈阳电力高等...
  • 1个西南交通大学
  • 1个沈阳工程学院
  • 1个中国地震局地...
  • 1个中国科学院新...

资助

  • 15个国家自然科学...
  • 6个国家重点基础...
  • 5个国家高技术研...
  • 3个国家科技重大...
  • 3个国防科技工业...
  • 3个国家教育部博...
  • 3个国家重点实验...
  • 3个辽宁省自然科...
  • 3个中国人民解放...
  • 2个辽宁省教育厅...
  • 2个中国科学院重...
  • 1个北京市科技新...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个教育部留学回...
  • 1个中国博士后科...
  • 1个浙江省重大科...
  • 1个中央级公益性...
  • 1个北核技术研究...

传媒

  • 15个半导体技术
  • 15个微电子学
  • 12个电子器件
  • 10个Journa...
  • 10个功能材料与器...
  • 10个第十四届全国...
  • 8个物理学报
  • 8个微电子学与计...
  • 8个原子能科学技...
  • 8个核电子学与探...
  • 6个第十届全国抗...
  • 5个核技术
  • 5个固体电子学研...
  • 5个太赫兹科学与...
  • 5个第十五届全国...
  • 4个第十二届全国...
  • 4个第十二届全国...
  • 4个“创新——核...
  • 4个中国核学会2...
  • 3个西安交通大学...

地区

  • 13个北京市
  • 3个陕西省
  • 2个辽宁省
  • 1个四川省
19 条 记 录,以下是 1-10
海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵立新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI SRAM SOI器件 PDSOI 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘红
供职机构:西南交通大学
研究主题:第一性原理 分子动力学模拟 热力学性质 高温 第一性原理研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴春瑜
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:缓冲层 超突变结 透明阳极 变容二极管 集成门极换流晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周小茵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 静态随机存储器 CMOS SRAM 随机存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晶
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:静电放电 不均匀度 ESD防护 多芯片 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
聚类工具0