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金波

作品数：8 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
王曦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈猛
供职机构：清华大学
研究主题：SOI 注氧隔离 高温退火 低剂量 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易万兵
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI工艺 注氧隔离 场效应晶体管 抗辐射 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张继华
供职机构：电子科技大学
研究主题：射频磁控溅射 BST 铁电薄膜 介电性能 基片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志君
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER 波导 ER 反应离子刻蚀 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王湘
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 注氧隔离 键合 高温退火 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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