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钮利荣

作品数：20 被引量：15H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

领域

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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄云
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：可靠性 集成电路 单粒子效应 寿命评价 裸芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨端良
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：离子注入 砷化镓 GAAS 射频 SPDT开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林丽
供职机构：华南理工大学
研究主题：MOS器件 GAAS_MMIC 总剂量效应 TDDB 辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐筱乐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：平面波导 离子注入 砷化镓 GAALAS/GAAS 光滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐中仓
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 手机 PHEMT 高频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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