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周贤达

作品数：12 被引量：14H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

领域

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机构

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资助

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地区

  • 11个四川省
  • 2个江苏省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
方健
供职机构：电子科技大学
研究主题：集成电路技术 电平位移 功率集成电路 SOI LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘哲
供职机构：电子科技大学
研究主题：成像处理 波数 BCD工艺 PNP 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔明
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张弦
供职机构：电子科技大学
研究主题：BCD工艺 PNP 反相器 红外图像处理 红外成像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伦友
供职机构：电子科技大学
研究主题：反相器 恒流源 脉冲 电路单元 同相
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段明伟
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：LDMOS RESURF 击穿特性 击穿电压 EPITAXIAL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林薇
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：WKB 非平衡载流子 非均匀 功率因数 电流应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 反熔丝 抗辐射 CMOS工艺 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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