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项金娟

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

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共 25 条 记 录，以下是 1-10
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘卫兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：红外光源 MEMS 图形化 金属电极 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺晓彬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 光刻胶 电子束曝光 电子束 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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