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张国俊

作品数：111 被引量：135H指数：5
供职机构：电子科技大学更多>>
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共 85 条 记 录，以下是 1-10
王姝娅
供职机构：电子科技大学
研究主题：反应离子刻蚀 锚点 电极 MEMS 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟志亲
供职机构：电子科技大学
研究主题：反应离子刻蚀 氮化硅薄膜 6H-SIC 退火 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴丽萍
供职机构：电子科技大学
研究主题：纳米片 衬底 SUB 半导体材料 钙钛矿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴丽萍
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：ZNO MEMS 微机电系统 反应离子刻蚀 平面微弹簧
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李平
供职机构：电子科技大学
研究主题：集成电路技术 沟道 FPGA 集成电路 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
束平
供职机构：中国电子科技集团第二十九研究所
研究主题：LTCC基板 焊盘 微电铸 反应离子刻蚀 刻蚀速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王刚
供职机构：电子科技大学
研究主题：微波介质陶瓷材料 微波介质陶瓷 低损耗 非高斯噪声 功能陶瓷材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈远龙
供职机构：电子科技大学
研究主题：低噪声 电路设计 低压差线性稳压器 MOS管 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翟亚红
供职机构：电子科技大学
研究主题：铁电电容 铁电 铁电存储器 PZT 负电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王影
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：低噪声 CIGS MOS管 MOSFET 亚阈值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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