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许静

作品数：143 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
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地区

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共 28 条 记 录，以下是 1-10
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐兆云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 空腔 集成度 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王红丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 集成度 刻蚀 埋氧层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨萌萌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 集成度 衬底 半导体材料 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 刻蚀 掩模 粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛淑娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 功函数 金属硅化物 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈邦明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 集成度 半导体材料 衬底 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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