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刘桂明

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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  • 2个广西
共 11 条 记 录，以下是 1-10
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 沟道 衬底 含氧气体 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周佳辉
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：衬底 金属氧化物半导体场效应晶体管 GAAS_MMIC 薄膜电阻 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨旭
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 栅氧化层 超大规模集成电路 N型半导体 信号串扰
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王虹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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