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沈震

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：中山大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
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地区

  • 10个广东省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张佰君
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 光电极 衬底 半导体发光器件 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周桂林
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 层状结构 肖特基势垒二极管 肖特基势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许广宁
供职机构：中山大学
研究主题：基因多态性研究 客家人 GSTP1 GSTM1 谷胱甘肽硫转移酶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构：中山大学
研究主题：GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟健
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题：MOSFET GAN 场效应管 SI衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构：德岛大学
研究主题：GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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