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宋朝瑞

作品数：40 被引量：34H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 39 条 记 录，以下是 1-10
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 栅极 光刻胶 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王中健
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 石墨烯 介质薄膜 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹铎
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾婷婷
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道 空位
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI ESD保护器件 高介电常数 高压功率器件 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨文伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：功率器件 击穿电压 SOI材料 LDMOS SOI_LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢玉梅
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：碳化硅 高温 氧化铪 SOI材料 铪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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