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赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄令仪
供职机构:中国科学院计算技术研究所
研究主题:全定制 超大规模集成电路 掩膜版 静态随机存储器 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:III-V族 锗 N型半导体 半导体器件 沟道电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周玉梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:低功耗 流水线ADC 支路电流 存储器 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈守顺
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:耦合电容 超大规模集成电路 信号串扰 寄生参数提取 微米工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锁相环 CMOS 电荷泵 压控振荡器 基准电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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