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黄念宁

作品数：44 被引量：52H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗蕴
供职机构：华中科技大学物理学院
研究主题：光纤 孤子解 金 相互作用 稀磁合金
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林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 微光 GAN 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩克锋
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 晶体管 Y型 沟道 GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何进春
供职机构：华中科技大学数学与统计学院
研究主题：GEL 孤子解 LEVITAN ITA 守恒量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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