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黄念宁

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
王彦硕
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 背面金属化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 掺杂 介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 背面金属化 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金属 空气桥 微波毫米波 挖槽 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 背面金属化 半导体 键合剂 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：布线 放大器电路 微波信号 场效应 锌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李信
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 背面金属化 半导体 键合剂 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈元坤
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 背面金属化 半导体 键合剂 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章军云
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 电极 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维波
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超宽带 芯片 零偏 移相器 参考态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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