您的位置： 专家智库 > >

张岚

作品数：15 被引量：15H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

合作作者

领域

  • 21个电子电信
  • 14个电气工程
  • 13个一般工业技术
  • 13个理学
  • 7个航空宇航科学...
  • 6个化学工程
  • 6个机械工程
  • 5个自动化与计算...
  • 5个文化科学
  • 4个经济管理
  • 4个金属学及工艺
  • 4个环境科学与工...
  • 4个医药卫生
  • 3个生物学
  • 3个天文地球
  • 3个农业科学
  • 2个建筑科学
  • 2个水利工程
  • 2个轻工技术与工...
  • 2个交通运输工程

主题

  • 15个晶体管
  • 12个迁移率
  • 11个电子迁移率
  • 11个淀积
  • 11个异质结
  • 11个碳化硅
  • 11个气相淀积
  • 10个电路
  • 8个氮化镓
  • 8个电阻
  • 8个异质结材料
  • 7个单片
  • 7个单片集成
  • 7个单片集成电路
  • 6个氮化
  • 6个导体
  • 6个导通
  • 6个电力
  • 6个电力电子
  • 5个氮化铝

机构

  • 17个南京电子器件...
  • 6个东南大学
  • 5个南京大学
  • 4个中国科学院
  • 4个中国电子科技...
  • 3个南京医科大学
  • 3个信息产业部
  • 2个江苏省人民医...
  • 2个电子部
  • 2个微波毫米波单...
  • 1个长春光学精密...
  • 1个长春理工大学
  • 1个北京大学
  • 1个华东理工大学
  • 1个吉林大学
  • 1个南京邮电大学
  • 1个四川大学
  • 1个教育部
  • 1个南京军区南京...
  • 1个中国医学科学...

资助

  • 14个国家自然科学...
  • 13个江苏省自然科...
  • 11个国家高技术研...
  • 10个国家重点基础...
  • 6个国家教育部博...
  • 6个国家重点实验...
  • 5个江苏省科技支...
  • 4个教育部“新世...
  • 4个微波毫米波单...
  • 4个中央高校基本...
  • 3个国家社会科学...
  • 3个国家部委预研...
  • 3个国家电网公司...
  • 3个江苏高校优势...
  • 3个江苏省高校优...
  • 2个高等学校优秀...
  • 2个国家科技支撑...
  • 2个江苏省青年科...
  • 2个教育部留学回...
  • 2个中国博士后科...

传媒

  • 19个固体电子学研...
  • 10个Journa...
  • 9个半导体技术
  • 8个第十五届全国...
  • 7个功能材料
  • 7个微电子学
  • 7个第六届全国毫...
  • 6个物理学报
  • 6个发光学报
  • 6个电子工业专用...
  • 6个第三届中国国...
  • 6个第十四届全国...
  • 5个人工晶体学报
  • 5个第十五届全国...
  • 5个第十一届全国...
  • 5个第13届全国...
  • 5个2012全国...
  • 4个太阳能学报
  • 4个光电子技术
  • 4个中国电子科学...

地区

  • 20个江苏省
共 21 条 记 录，以下是 1-10
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄子乾
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PIN二极管 GAAS 砷化镓 单片 金属有机化合物气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 ALGAAS 异质结双极晶体管 MOVPE GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肖
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT 宽禁带 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晓军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 位错 微管 GAN薄膜 金属有机物化学气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜文海
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN GA MOCVD生长 N型 蒸发法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0