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王鑫华

作品数：125 被引量：10H指数：2
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄森
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 刻蚀 GAN 增强型
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魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN/GAN GAN 电子束光刻 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵妙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基 电极 氮化镓 铁电 特性参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庞磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 研磨工艺 氮化镓 减薄 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁婷婷
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT DOHERTY功率放大器 氮化镓 KU波段 微带型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN KU波段 ALGAN/GAN_HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：FET 分析仪 耗散 集成电路技术 脉冲电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 GAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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