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刘宏新

作品数：48 被引量：46H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GSMBE生长 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 迁移率 MOCVD 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘成海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 ALGAN/GAN 氮化镓 RF-MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张南红
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化铟 RF-MBE 缓冲层 外延膜 INN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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