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宁冰旭

作品数：20 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡志远
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕大炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 总剂量 沟槽隔离 SOI材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 网络 驱动电流 两级保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈明
供职机构：中国科学院
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘张李
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：深亚微米器件 沟槽隔离 沟道 微米 总剂量辐射效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊双
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 网络 两级保护 ESD 保护网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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