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方慧智

作品数:7 被引量:12H指数:2
供职机构:北京大学物理学院更多>>
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相关领域:电子电信理学更多>>

领域

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地区

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12 条 记 录,以下是 1-10
陆敏
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:MOCVD GAN 氮化镓 英文 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎子兰
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 激光剥离 氮化镓 MOCVD 腐蚀坑
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 激光剥离 发光二极管 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨华
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 MOCVD 欧姆接触 AU DNA甲基化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆曙
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:MOCVD MOCVD生长 INGAN GAN INGAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任谦
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:氮化镓 英文 MQW MOCVD生长 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志忠
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 激光剥离 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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