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杨文伟

作品数：12 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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地区

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共 17 条 记 录，以下是 1-10
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI 介质薄膜 SOI_LDMOS 高介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢玉梅
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：碳化硅 高温 氧化铪 SOI材料 铪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：制样 场效应晶体管 精准定位 超低温 保护层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张继华
供职机构：电子科技大学
研究主题：射频磁控溅射 BST 铁电薄膜 介电性能 基片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜丽娟
供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所
研究主题：SOI材料 SOI_LDMOS 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈可炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 CH AR SIS SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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