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郑柳

作品数：22 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC 晶体生长 真空系统 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 半导体激光器 真空系统 衬底 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘胜北
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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