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俞土法

作品数:26 被引量:36H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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戴永胜
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
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林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
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陈继义
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
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刘琳
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 可变衰减器 相移 多倍频程 超小型
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杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岑元飞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 单片集成电路 集成电路 单片 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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