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张砚华

作品数：23 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
卢励吾
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：深能级 分子束外延生长 能级 硅 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛惟昆
供职机构：清华大学理学院物理系
研究主题：能级 外加磁场 测量方法 深能级瞬态谱 库仑阻塞
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐寿定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS 电学性质 GAAS SI-GAAS单晶 热稳定性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体测试 半导体材料 微结构 自动测试系统 瞬态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈延杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS材料 热退火 深中心 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐遵图
供职机构：北京工业大学
研究主题：激光器 应变量子阱激光器 量子阱激光器 半导体激光器 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 分子束外延 超高真空
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴巨
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 砷化镓 MBE 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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