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崔利杰
作品数:
35
被引量:36
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
北京市自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
电气工程
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合作作者
曾一平
中国科学院半导体研究所
刘超
中国科学院半导体研究所
郭少令
中国科学院上海技术物理研究所
褚君浩
华东师范大学
朱战平
中国科学院半导体研究所
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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所获资助
研究领域
刘超
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 垂直腔面发射激光器 分子束外延生长 TO封装 锑化物
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所获资助
研究领域
褚君浩
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
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所获资助
研究领域
郭少令
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:二维电子气 HG X HGCDTE 磁输运
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供职机构
所获资助
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朱战平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MM-HEMT材料 分子束外延生长 沟道 MBE生长 MBE
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研究领域
王保强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:振荡器 沟道 MM-HEMT材料 MBE生长 MBE
发表作品
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供职机构
所获资助
研究领域
林铁
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:铁电 铁电薄膜 磁输运 金属电极 深低温
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供职机构
所获资助
研究领域
周文政
供职机构:广西大学
研究主题:二维电子气 磁输运 掺杂 交通事故 IN0
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供职机构
所获资助
研究领域
桂永胜
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:二维电子气 HGCDTE X HG CD
发表作品
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所获资助
研究领域
杨秋旻
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碲化锌 掺杂 II-VI族化合物半导体 ZNSE N型掺杂
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