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李开成

作品数：12 被引量：27H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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刘道广
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伦才
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：运算放大器 电路 跨阻放大器 流水线模数转换器 数模转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：A/D转换器 CMOS 电路 集成电路 硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓菊
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：深亚微米槽栅 槽栅 ALGAN/GAN 槽栅PMOSFET SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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