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马志勇

作品数：20 被引量：8H指数：2
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王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
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胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
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肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
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王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
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冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GAN 金属有机物 MOCVD生长
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罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 GAN ALGAN/GAN
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李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
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唐健
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光电振荡器 氮化镓 相位调制器 微波光子滤波器 频谱
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曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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