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刘琳

作品数：16 被引量：21H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 8个低噪
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机构

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传媒

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地区

  • 11个江苏省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴永胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞土法
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李祖华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 场效应晶体管 MESFET 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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