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刘玉奎

作品数：63 被引量：110H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 硅薄膜 多晶硅 电路 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
税国华
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：互补双极工艺 可靠性 MEMS 传输路径 SPC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国渝
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：集成电路 硅 压力传感器 键合 MEMS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：压力传感器 MEMS 硅 单片集成 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡明雨
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：动部件 MEMS 硅衬底 硅薄膜 互补双极工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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