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邹鹏辉

作品数：6 被引量：11H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦硕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：TI 肖特基势垒 电子束蒸发 电子束 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩春林
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP基 电子束光刻 MESFET 空气桥 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高喜庆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT 一致性 INP INGAAS/INP INALAS/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：欧姆接触 MMIC 工作寿命 加速寿命试验 金膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 微光 GAN 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 单片功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP INALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩克锋
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 晶体管 Y型 沟道 GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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